Fabrikant Productnummer:
TSM2NB60CH C5G
Product Overview
Fabrikant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TSM2NB60CH C5G-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Voorraad:
12896974
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TSM2NB60CH C5G Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Taiwan Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
249 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
44W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-251 (IPAK)
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
75
Andere namen
TSM2NB60CHC5G
TSM2NB60CH C5G-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STD3NK80Z-1
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3000
DEELNUMMER
STD3NK80Z-1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.73
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TSM900N10CH X0G
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
TSM2308CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
TSM061NA03CV RGG
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
